مطالعه ترابرد بار الکتریکی در نانو سیم g4-dna

dna دو رشته ای و مشتق آن dna چهار رشته‎ای (g4-dna) در دهه‎های اخیر توجهات بسیاری از دانشمندان علوم مختلف را به خود جلب کرده‎اند و به عنوان یکی از اجزای تشکیل دهنده الکترونیک مولکولی مورد توجه قرار گرفته‎اند. کارهای زیادی برروی بررسی خواص ترابرد این مولکول انجام گرفته است. در مقایسه با dna دورشته‎ای، g4-dna دارای خواص منحصر به فردی می‎باشد که دانشمندان بر این باور هستند که گزینه بسیار مناسب‎تری برای سیم‎های مولکولی می‎باشد. با توجه به پایین بودن انرژی یونیزاسیون باز گوانین نسبت به سه باز دیگر تشکیل دهنده مولکول dna نقش مهمی را در عبور بار الکتریکی در این مولکول بازی می‎کند. پس مولکول‎ها و قطعاتی از آن که غنی از گوانین هستند کاندیدای بسیار خوبی برای الکترونیک مولکولی می‎باشند و g4-dna برای این هدف بسیار مناسب است. در این پایان‎نامه با استفاده از مدل هامیلتونی تنگ‎بست تک نواری و روش ماتریس انتقال به بررسی خواص ترابرد بار الکتریکی در نانو سیم g4-dnaمی‎پردازیم. این روش تابع موج حامل‎های بار در یک الکترود را به تابع موج حامل‎های بار در الکترود دیگر مرتبط می‎سازد. نتایج نشان می‎دهد تعداد پشته‎ها تاثیر زیادی روی مشخصه جریان- ولتاژ می‎گذارد و با افزایش تعداد پشته‎ها یا به عبارتی طول مولکول جریان کاهش می‎یابد.